失效分析探針臺(tái) |
規(guī)格 | LBA-8 | LABA-8-DH |
外形 | 960mm長(zhǎng)*850mm寬*1500mm高 | 880mm長(zhǎng)*860mm寬*1550mm高 |
重量 | 約260KG | 約280KG |
電力需求 | 220VC,50~60Hz |
樣品臺(tái) | 尺寸 | 8英寸,可360度旋轉(zhuǎn) |
行程 | X-Y行程8*8英寸 |
移動(dòng)精度 | 1um |
樣品固定方式 | 真空吸附 | 真空吸附 |
溫控范圍 | - | ﹣80~200℃ |
快速拉出 | - | 有 |
特殊運(yùn)用 | 電學(xué)獨(dú)立懸空,可作為背電極使用 |
針座平臺(tái) | 規(guī)格 | U型平臺(tái),最多可放置10個(gè)針座 | O型平臺(tái),最多可放置12個(gè)針座 |
行程&調(diào)節(jié)方式 | 平臺(tái)可以快速升降,行程 6mm并帶自動(dòng)鎖定功能; |
光學(xué)特性 | 顯微鏡行程 | X-Y軸行程2英寸*2英寸,Z軸:50.8mm | X-Y軸行程1英寸*1英寸,Z軸:50.8mm |
放大倍數(shù) | 20~4000X |
鏡頭切換時(shí)操作 | 快速傾仰/氣動(dòng)升降 |
CCD像素 | 50W(模擬)/200W(數(shù)字)/500W(數(shù)字) | 50W(模擬)/200W(數(shù)字)/500W(數(shù)字) |
激光特性 | 波段 | 波長(zhǎng)可選擇1064/532/355/266nm波段 |
功率 | 輸出功率2.2mJ/pulse (可升級(jí)) |
微加工能力 | 可加工材質(zhì):Cr/Al/ITO/Ni/TFT/RGB/Poly Silicon/Mo/SiN/CF內(nèi)雜質(zhì)等 |
精度 | 最小可加工精度1*1um(配置100X鏡頭時(shí)) |
冷卻方式 | 可選擇風(fēng)冷激光或水冷激光 |
點(diǎn)針規(guī)格 | X-Y-Z行程 | 12mm-12mm-12mm/8mm-8mm-8mm |
機(jī)械精度 | 2微米/0.7微米/0.1微米 |
漏電精度 | 10pA/100fA (配置屏蔽箱時(shí)) |
接口形式 | 香蕉頭/鱷魚夾/同軸/叁軸接口 |
可選附件 | 卡盤快速拉出裝置 | 卡盤快速拉出裝置 |
液晶熱點(diǎn)偵測(cè)套裝 | 液晶熱點(diǎn)偵測(cè)套裝 |
高壓/大電流測(cè)試套裝 | 高壓/大電流測(cè)試套裝 |
加熱臺(tái) | - |
屏蔽箱 | 屏蔽箱 |
轉(zhuǎn)接頭 | 轉(zhuǎn)接頭 |
防震臺(tái) | 防震臺(tái) |
鍍金卡盤 | 鍍金卡盤 |
同軸叁軸卡盤 | 同軸叁軸卡盤 |
樣品臺(tái)快速升降,微調(diào)升降裝置選件 | - |
光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試選件 | 光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試選件 |
射頻測(cè)試附件 | 射頻測(cè)試附件 |
有源探頭 | 有源探頭 |
低電流/電容測(cè)試 | 低電流/電容測(cè)試 |
光纖夾具耦合測(cè)試選件 | 光纖夾具耦合測(cè)試選件 |
封裝器件夾具 | 封裝器件夾具 |
PCB/封裝夾具測(cè)試選件 | PCB/封裝夾具測(cè)試選件 |
特殊定制 | 特殊定制 |
應(yīng)用方向 | 常溫和高低溫環(huán)境下的芯片失效分析 |
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特點(diǎn) |
失效分析實(shí)驗(yàn)室專用 | 大手柄驅(qū)動(dòng),操作舒適,無回程差設(shè)計(jì),定位準(zhǔn)確 |
可做LC液晶熱點(diǎn)偵測(cè) | 激光最小可加工精度1*1um |
激光可選擇性去除特定材料而不損傷下層 | 芯片內(nèi)部線路/電極/PAD測(cè)試 |
適用于IC/面板內(nèi)部線路修改/去層 | 射頻特性器件失效分析 |
可升級(jí)用于12英寸以內(nèi)樣品測(cè)試 | 材料/器件的IV/CV特性測(cè)試及失效分析 |