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失效分析探針臺(tái)

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失效分析探針臺(tái)

失效分析探針臺(tái)
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失效分析探針臺(tái)
規(guī)格LBA-8LABA-8-DH
外形960mm長(zhǎng)*850mm寬*1500mm高880mm長(zhǎng)*860mm寬*1550mm高
重量約260KG約280KG
電力需求220VC,50~60Hz
樣品臺(tái)尺寸8英寸,可360度旋轉(zhuǎn)
行程X-Y行程8*8英寸
移動(dòng)精度1um
樣品固定方式真空吸附真空吸附
溫控范圍-﹣80~200℃
快速拉出-
特殊運(yùn)用電學(xué)獨(dú)立懸空,可作為背電極使用
針座平臺(tái)規(guī)格U型平臺(tái),最多可放置10個(gè)針座O型平臺(tái),最多可放置12個(gè)針座
行程&調(diào)節(jié)方式平臺(tái)可以快速升降,行程 6mm并帶自動(dòng)鎖定功能;
光學(xué)特性顯微鏡行程X-Y軸行程2英寸*2英寸,Z軸:50.8mmX-Y軸行程1英寸*1英寸,Z軸:50.8mm
放大倍數(shù)20~4000X
鏡頭切換時(shí)操作快速傾仰/氣動(dòng)升降
CCD像素50W(模擬)/200W(數(shù)字)/500W(數(shù)字)50W(模擬)/200W(數(shù)字)/500W(數(shù)字)
激光特性波段波長(zhǎng)可選擇1064/532/355/266nm波段
功率輸出功率2.2mJ/pulse (可升級(jí))
微加工能力可加工材質(zhì):Cr/Al/ITO/Ni/TFT/RGB/Poly Silicon/Mo/SiN/CF內(nèi)雜質(zhì)等 
精度最小可加工精度1*1um(配置100X鏡頭時(shí))
冷卻方式可選擇風(fēng)冷激光或水冷激光
點(diǎn)針規(guī)格X-Y-Z行程12mm-12mm-12mm/8mm-8mm-8mm
機(jī)械精度2微米/0.7微米/0.1微米
漏電精度10pA/100fA     (配置屏蔽箱時(shí))
接口形式香蕉頭/鱷魚夾/同軸/叁軸接口
可選附件卡盤快速拉出裝置卡盤快速拉出裝置
液晶熱點(diǎn)偵測(cè)套裝液晶熱點(diǎn)偵測(cè)套裝
高壓/大電流測(cè)試套裝高壓/大電流測(cè)試套裝
加熱臺(tái)-
屏蔽箱屏蔽箱
轉(zhuǎn)接頭轉(zhuǎn)接頭
防震臺(tái)防震臺(tái)
鍍金卡盤鍍金卡盤
同軸叁軸卡盤同軸叁軸卡盤
樣品臺(tái)快速升降,微調(diào)升降裝置選件-
光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試選件光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試選件
射頻測(cè)試附件射頻測(cè)試附件
有源探頭有源探頭
低電流/電容測(cè)試低電流/電容測(cè)試
光纖夾具耦合測(cè)試選件光纖夾具耦合測(cè)試選件
封裝器件夾具封裝器件夾具
PCB/封裝夾具測(cè)試選件PCB/封裝夾具測(cè)試選件
特殊定制特殊定制
應(yīng)用方向常溫和高低溫環(huán)境下的芯片失效分析

特點(diǎn)
失效分析實(shí)驗(yàn)室專用大手柄驅(qū)動(dòng),操作舒適,無回程差設(shè)計(jì),定位準(zhǔn)確
可做LC液晶熱點(diǎn)偵測(cè)激光最小可加工精度1*1um
激光可選擇性去除特定材料而不損傷下層芯片內(nèi)部線路/電極/PAD測(cè)試
適用于IC/面板內(nèi)部線路修改/去層射頻特性器件失效分析
可升級(jí)用于12英寸以內(nèi)樣品測(cè)試材料/器件的IV/CV特性測(cè)試及失效分析